半導体磁気抵抗素子の使い方

 バイアス磁石                                                   

  半導体磁気抵抗素子はバイアス磁石と組み合わせて使用する方法が一般的です。右図に示すように半導体磁気抵抗素子の背面にバイアス磁石を配置します。バイアス磁石により動作点を0.4T以上にし、磁束密度変化に対して抵抗変化の割合が大きく、線形である領域で使用します。この構成にすることにより、磁性媒体が半導体磁気抵抗素子面に対して平行に移動した場合に、半導体磁気抵抗素子における磁束密度が変化します。その磁束密度の変化を電圧の変化として取り出します。                                                                

 
  •             1.   バイアス磁石の推奨磁石サイズ
                       磁石の材質:Sm2Co17(サマリウムコバルト系磁石)
                       磁石のサイズ:    4.4×4.4×t5.0mm  (MS-0020用、MS-0040用)
                                   5.5×4.4×t5.0mm  (MS-0080用)
  •             2.   バイアス磁石の配置例

  •  素子構造                                                      

 用途に応じて様々な素子構造があります。一般的には下記の二つの構造が広く用いられています。

基本的には1チップ上に2つ(4つ)の半導体磁気抵抗体を形成します。また、無磁界の状態、または

すべての磁気抵抗素子に均一な磁束密度が印加された状態でのA(A、B)の電位を中性電圧とい

います。中性電圧は理想的にはVc/2(Vc:制御電圧)となります。

 

                            

 

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