AKMの半導体磁気抵抗素子の特徴

温度特性に優れ、電気特性の個体差が小さい磁気抵抗素子を実現しました。

  中性電圧の温度ドリフトが極めて小さい。

   弊社独自の半導体薄膜作製技術により、

中性電圧の温度ドリフトを極限まで低減しま

した。

 

  従来品に比べ抵抗値の温度特性が良い。

 弊社独自のInSbへのSnドープ技術

(Sn:n型ドーパント)を用いることにより、素子

の抵抗値の温度係数を劇的に低減しました。
 従来素子の抵抗値の温度係数:-2.0%/℃

(室温付近)
→本製品の抵抗値の温度係数:-0.2%/℃

(室温付近)

 
   電気的特性の個体差が小さい。
 高精度な手法で単結晶薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いた素子プロセスを用いているため、

極めて電気的特性が揃っている。

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