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2018/01/19
世界最小レベル* の超低消費電流を実現
エナジーハーベスティング、LIC/EDLC/小型LiB向け 電圧検出IC

製品名
AP4410BECSJ、AP4410BECJT
製品カテゴリー:
パワーマネジメント
概 要
MOSFET内蔵 超低消費電力 電圧検出IC
用 途
・エナジーハーベスティング機器の電源制御
・リチウムイオンキャパシター (LIC)、電気二重層キャパシター (EDLC) などの蓄電デバイス監視
・ウェアラブル機器向リチウムイオンバッテリー (LiB) の保護
AP4410BEC

製品概要

周りの環境から得た微小なエネルギーを電力に変換する「エナジーハーベスティング」 (環境発電) のパワーマネージメント回路では、自己消費電流を最小限に抑える必要があります。 同様に、バッテリー長寿命化が求められるウェアラブル機器に使われるような小型のリチウムイオンバッテリーやLIC / EDLCといった蓄電デバイスにおけるセル監視回路でも、自己消費電流の抑制は最重要ポイントとなります。
これらの用途に向けて旭化成エレクトロニクス株式会社 (AKM) は、高精度CMOS電源電圧検出IC  AP4410BEC  シリーズを開発しました。 電圧検出回路と外部デバイス制御用のP-MOSFET、N-MOSFETを二系統内蔵し (系統毎にロジック制御可能)、世界最小レベルの超低消費電流 26nA (Typ.) を特長としています。 AP4410BECSJ、AP4410BECJT のサンプル出荷を2018年2月から開始します。

製品の特長

● 超低消費電力

動作電流 26nA (Typ.) のため、自己消費が少ない電圧監視回路を実現できます。

● 幅広いヒステリシス対応

上昇側の検出電圧と下降側の検出電圧の差が広いため、過放電・過充電保護を兼ねた電源監視が可能です。

● 超小型パッケージ

1.955×1.555mm 20ピンWLCSPパッケージです。

主な仕様

AP4410BEC
AP4410BEC
MOSFET内蔵 超低消費電力 電圧検出IC
製品名 AP4410BEC SJ AP4410BEC JT
幅広い検出電圧範囲
(製品オプション)

上昇検出電圧 (VDETH)
  1.8 ~ 4.4V

下降検出電圧 (VDETL)
  1.7 ~ 4.3V
Channel 1
  VDETH: 3.6V
  VDETL: 3.0V

Channel 2
  VDETH: 2.7V
  VDETL: 2.5V
Channel 1
  VDETH: 2.7V
  VDETL: 2.4V

Channel 2
  VDETH: 3.7V
  VDETL: 3.5V
超低消費電流26nA/Channel (Typ.)
検出精度±35mV
電源電圧1.2 ~ 5.5V
応答速度500µs (Max.)
動作温度-40 ~ 85°C
パッケージ20ピン WLCSP (1.955×1.555mm, 0.4mmピッチ)
[Notes]
* 2018年1月19日時点 AKM調べ
* ここに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。
* AKMは、旭化成エレクトロニクス株式会社の商標です。
* その他、記載されている会社名、製品名は各社の商標および登録商標です。

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