技術情報
高分解能エンコーダ用素子 (半導体磁気抵抗素子)
AKMの半導体磁気抵抗素子の特長
温度特性に優れ、電気特性の個体差が小さい磁気抵抗素子を実現しました。
中性電圧の温度ドリフトが極めて小さい
弊社独自の半導体薄膜作製技術により、中性電圧の温度ドリフトを極限まで低減しました。
従来品に比べ抵抗値の温度特性が良い
弊社独自のInSbへのSnドープ技術 (Sn：n型ドーパント) を用いることにより、素子の抵抗値の温度係数を劇的に低減しました。
従来素子の抵抗値の温度係数：-2.0％／℃ (室温付近)
→本製品の抵抗値の温度係数：-0.2％／℃ (室温付近)
電気的特性の個体差が小さい
高精度な手法で単結晶薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いた素子プロセスを用いているため、極めて電気的特性が揃っている。
