技术说明

高分辨率编码器元件

技术资料

AKM 半导体磁阻元件的特点

AKM 的磁阻元件具有优异的温度特性,且元件间的电气特性差异较小。

失调电压的温度漂移小

采用 AKM 独有的半导体薄膜制备技术,有效降低失调电压的温度漂移。

Figure 1

电阻温度特性优于传统产品

采用 AKM 独有的锑化铟 (InSb) 掺锡技术,以锡 (Sn) 作为 n 型掺杂剂,有效减小元件电阻温度系数的绝对值。

传统元件的电阻温度系数:-2.0%/℃ (室温附近)
→ 本产品的电阻温度系数:-0.2%/℃ (室温附近)

Figure 2

元件间的电气特性差异小

采用高精度工艺制备单晶薄膜,并结合光刻工艺制造元件,实现高度一致的电气特性。

Figure 2

编码器结构示例

适配模数 m=0.3 齿轮的差分信号输出型半导体磁阻元件 (SMRE) MS0031

通过对 A+/A-、B+/B- 两组输出信号分别进行差分处理,MS0031 可降低共模噪声。此外,AKM 的 SMRE 具有优异的温度特性,且元件间差异较小,因此即使采用磁式检测,也能通过电子细分 (插值) 实现超过 20 位的旋转角度检测分辨率。

A+/A-、B+/B- 差分输出

A 相和 B 相分别采用差分输出,通过对各相的两路信号取差值,可消除共模噪声,同时获得 2 倍的输出幅度,有助于提高磁式编码器的精度与分辨率。

SMRE
MS0031 MS0031

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