技術解説

高分解能エンコーダ用素子 (半導体磁気抵抗素子)

技術情報

温度特性に優れ、電気特性の個体差が小さい磁気抵抗素子を実現しました。

AKM 独自の半導体薄膜作製技術により、オフセット電圧の温度ドリフトを低減しました。

弊社独自の InSb への Sn ドープ技術 (Sn：n 型ドーパント) を用いることにより、素子の抵抗値の温度係数を劇的に低減しました。

従来素子の抵抗値の温度係数：-2.0％/℃ (室温付近)
→ 本製品の抵抗値の温度係数：-0.2％/℃ (室温付近)

高精度な手法で単結晶薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いた素子プロセスを用いているため、極めて電気的特性が揃っています。

MS0031 は出力信号を A+/A-、B+/B- の差動化にすることで同相ノイズを低減できます。また AKM の SMRE は、温度特性が極めて良好で素子間ばらつきも小さいことから、電気内挿による磁気式でも 20bit を超える回転角が検出可能です。

A+/A-、B+/B- の差動出力化

A 相 B 相が各相差動で出力され差分をとることで同相ノイズを除去し、また 2 倍の出力振幅が得られることから、磁気式エンコーダーの高精度、高分解能化に貢献します。

MS0031

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