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高分解能エンコーダ用素子

技術情報

AKM の半導体磁気抵抗素子の特長

温度特性に優れ、電気特性の個体差が小さい磁気抵抗素子を実現しました。

中性電圧の温度ドリフトが極めて小さい

AKM 独自の半導体薄膜作製技術により、中性電圧の温度ドリフトを低減しました。

Figure 1

従来品に比べ抵抗値の温度特性が良い

弊社独自の InSb への Sn ドープ技術 (Sn：n 型ドーパント) を用いることにより、素子の抵抗値の温度係数を劇的に低減しました。

従来素子の抵抗値の温度係数：-2.0％/℃ (室温付近)
→ 本製品の抵抗値の温度係数：-0.2％/℃ (室温付近)

Figure 2

電気的特性の個体差が小さい

高精度な手法で単結晶薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いた素子プロセスを用いているため、極めて電気的特性が揃っている。

FAQ

FAQ - 高分解能エンコーダ用素子